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  • 旺宏19nm SLC闪存良率极佳:全面进入业界领先制程
来源:本站原创  作者:admin  更新时间:2021-11-20  浏览次数:

  做为最早问世的闪存类型,SLC闪存在性能、可靠性上是最佳的,P/E擦写次数在1万到10万次之间,远超MLC、TLC、QLC闪存。

  不过SLC闪存成本也是最高的,而且容量也不如其他的闪存类型,所以近年来应用市场越来越狭窄,主流市场已经销声匿迹,生产厂商也越来越少。

  旺宏电子日前透露,该公司研发的19nm SLC闪存进展顺利,良率极佳,新产品新应用已经进入验证阶段。

  旺宏表示,他们的SLC闪存率先实现了在主芯片处理ECC的创新主张,已成为最佳品质及成本效率典范;19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本优势,全面进入业界领先制程。

  除了SLC闪存,旺宏也在研发3D闪存,48层堆栈的3D闪存已经完成研发,很快会量产,后续则会冲刺192层3D闪存。(作者:宪瑞)

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